Терагерцовые камеры

Детекторы для камер изготавливаются на высокоподвижной гетероструктуре GaAs по стандартному полупроводниковому циклу с использованием традиционной оптической литографии. Этот процесс обеспечивает высокую однородность и воспроизводимость параметров плазмонного детектора (чувствительность межпиксельного отклонения находится в пределах 20-процентного диапазона). Каждый блок детектирования имеет чувствительность при комнатной температуре до 50 кВ/Вт со схемой считывания и шумовой эквивалентной мощностью 1 нВт√Гц в диапазоне частот 10 ГГц — 1 ТГц. Механизм регистрации основан на возбуждении плазменных колебаний в двумерной электронной системе с последующим выпрямлением.

Наши терагерцовые камеры являются активными устройствами обнаружения и требуют внешнего источника ТГц. Мы предлагаем источники субтерагерцовых волн на основе технологии IMPATT. Во всех наших ТГц камерах серии TERA используются детекторы одного типа с одинаковыми возможностями и пространственным разрешением. Разница между нашими моделями заключается в количестве пикселей в их сенсорных массивах и эффективной площади изображения.